Встречайте на ExpoElectronica новейшие разработки GS Nanotech:
🟩 микросхема приемопередатчика RS-485 от GS Nanotech (полудуплексный режим; рабочая температура от -40°C до +85°C; отказоустойчивый приемник);
🟩 микросхема памяти SPI NOR FLASH от GS Nanotech (объем памяти 16M-бит/2M-байт; скорость непрерывной передачи данных 50 МБ/с; рабочий температурный диапазон от -40 до +105 °C);
🟩 твердотельные накопители (SSD) от GS Nanotech (в том числе высокоскоростные накопители M.2 NVMe с интерфейсом PCIe 4.0x4);
🟩 модуль памяти GS DDR4 SO-DIMM от GS Nanotech (35 баллов; тип памяти DDR4; тактовая частота 3200 МГц; суммарный объем памяти 8/16/32 Гбайт; конфигурация микросхем памяти 1024 M/2048 Mx64 бит);
🟩 модуль памяти GS DDR4 U-DIMM от GS Nanotech (35 баллов; тип памяти DDR4; тактовая частота 3200 МГц; суммарный объем памяти 8/16/32 Гбайт; конфигурация микросхем памяти 2048Mx64 бит).
Представители GS Nanotech расскажут о возможностях контрактного производства, услугах по проектированию, корпусированию и тестированию микросхем и систем-в-корпусе на мощностях «Технополиса GS».
Подробнее ознакомиться с изделиями АО «ДжиЭс-Нанотех», а также обсудить интересующие вопросы можно на коллективном стенде АКРП-Консорциум дизайн-центров А2013 (павильон 3, зал 13).
Чтобы получить бесплатный билет на форум, просто укажите при регистрации промокод AKRP
https://expoelectronica.ru/ru/visit/visitor-registration/
🟩 микросхема приемопередатчика RS-485 от GS Nanotech (полудуплексный режим; рабочая температура от -40°C до +85°C; отказоустойчивый приемник);
🟩 микросхема памяти SPI NOR FLASH от GS Nanotech (объем памяти 16M-бит/2M-байт; скорость непрерывной передачи данных 50 МБ/с; рабочий температурный диапазон от -40 до +105 °C);
🟩 твердотельные накопители (SSD) от GS Nanotech (в том числе высокоскоростные накопители M.2 NVMe с интерфейсом PCIe 4.0x4);
🟩 модуль памяти GS DDR4 SO-DIMM от GS Nanotech (35 баллов; тип памяти DDR4; тактовая частота 3200 МГц; суммарный объем памяти 8/16/32 Гбайт; конфигурация микросхем памяти 1024 M/2048 Mx64 бит);
🟩 модуль памяти GS DDR4 U-DIMM от GS Nanotech (35 баллов; тип памяти DDR4; тактовая частота 3200 МГц; суммарный объем памяти 8/16/32 Гбайт; конфигурация микросхем памяти 2048Mx64 бит).
Представители GS Nanotech расскажут о возможностях контрактного производства, услугах по проектированию, корпусированию и тестированию микросхем и систем-в-корпусе на мощностях «Технополиса GS».
Подробнее ознакомиться с изделиями АО «ДжиЭс-Нанотех», а также обсудить интересующие вопросы можно на коллективном стенде АКРП-Консорциум дизайн-центров А2013 (павильон 3, зал 13).
Чтобы получить бесплатный билет на форум, просто укажите при регистрации промокод AKRP
https://expoelectronica.ru/ru/visit/visitor-registration/