12 февраля в Российской академии наук очно и в формате видеоконференции состоялось заседание Научного совета ОНИТ РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» по теме «План ФПНИ в области электронных технологий. НТЦ прикладной оптоэлектроники ФИАН».
Председатель Совета, президент РАН, руководитель приоритетного технологического направления «Электронные технологии», академик РАН Г.Я. Красников отметил значимость синхронизации проведения фундаментальных и поисковых научных исследований с государственной политикой в области развития электронной и радиоэлектронной промышленности.
По результатам заседания Совет одобрил представленный план ФПНИ в области электронных технологий на период до 2030 года, выработал рекомендации президиуму РАН, Минобрнауки России, дал поручение членам Совета, поддержал создание Научно-технологического центра прикладной оптоэлектроники в ФИАН с учетом полученных в ходе заседания Совета замечаний.
Председатель Совета, президент РАН, руководитель приоритетного технологического направления «Электронные технологии», академик РАН Г.Я. Красников отметил значимость синхронизации проведения фундаментальных и поисковых научных исследований с государственной политикой в области развития электронной и радиоэлектронной промышленности.
По результатам заседания Совет одобрил представленный план ФПНИ в области электронных технологий на период до 2030 года, выработал рекомендации президиуму РАН, Минобрнауки России, дал поручение членам Совета, поддержал создание Научно-технологического центра прикладной оптоэлектроники в ФИАН с учетом полученных в ходе заседания Совета замечаний.
🌍 Источник: НИИМЭ