Новости участников и партнёров сообщества

Новый конкурс по направлению «Микроэлектроника» от РНФ

Российский научный фонд объявил о начале открытого публичного конкурса по направлению «Микроэлектроника» в рамках реализации стратегических инициатив Президента Российской Федерации в научно-технологической сфере.

Заявки должны быть направлены на решение научно-технологических проблем в отношении технологий, материалов, технологического оборудования и систем проектирования для создания электронной компонентной базы (далее – ЭКБ) по следующим темам:

  • Разработка специальных подложек кубического карбида кремния на кремнии (3C-SiC/Si) для роста транзисторных гетероструктур Ga(Al)N с высокой подвижностью носителей заряда (HEMT);
  • Исследование и моделирование конструкции транзисторных наногетероструктур типа AlGaN/GaN на подложках кремния и специальных подложках кубического карбида кремния на кремнии (3СSiC/Si);
  • Исследование и разработка аналого-цифровой СБИС в специализированном корпусе для МЭМС-микрофона;
  • Разработка технологии МОС-гидридной эпитаксии полупроводниковых гетероструктур лазерных источников для гетерогенной интеграции Si/A3B5;
  • Разработка программных средств системы автоматизированного проектирования ЭКБ для создания ячеек энергонезависимой памяти на основе технологий ReRAM, FeRAM, MRAM;
  • Доработка критических элементов технологии в целях организации серийного производства бескорпусных GaAs СВЧ МИС с проектной нормой до 0,25 мкм для радиоаппаратуры систем навигации, телекоммуникации и радиолокации диапазона частот до 40ГГц;
  • Создание программного обеспечения для автоматизации проектирования и реконфигурируемых интегральных схем;
  • Разработка ПАВ для безметального проявителя использующегося в процессах фотолитографии с проектными нормами 180 – 90 нм и ниже, и освоение его микротоннажного производства;
  • Разработка библиотеки топологий и моделей стандартных элементов и их апробация с целью создания методологии согласования импедансов мощных бескорпусных AlGaN СВЧ-транзисторов с проектной нормой до 0,5 мкм при проектировании аппаратуры систем навигации, телекоммуникации и радиолокации L-, S- и С-диапазонов;
  • Разработка технологического процесса формирования эпитаксиальных слоев германия для pin диодов (фотодетекторов) на длину волны 1,31 мкм, сопряженных с кремниевой волноводной структурой;
  • Разработка и внедрение технологии аттестации сверхчистых химических материалов для технологии микроэлектроники с проектными нормами от 65 нм;
  • Разработка технологического процесса флип-чип монтажа кристаллов с алюминиевой металлизацией на интерпозер, подложку, корпус.

Условия участия:

  • Срок выполнения Проектов составляет не более 3-х лет;
  • Объем финансирования каждого Проекта – до 30 млн рублей в год для прикладных научных исследований (для ориентированных научных исследований – до 10 млн. в год);
  • Возможно предоставление софинансирования;
  • Аналогичная заявка не реализуется за счет других фондов или федерального бюджета.

Заявка на конкурс представляется не позднее 17 часов 00 минут (по московскому времени) 23 августа 2023 года в виде электронного документа по адресу https://grant.rscf.ru. Результаты конкурса утверждаются правлением Фонда в срок по 25 сентября 2023 года и размещаются на сайте Фонда в сети «Интернет».

Критерии конкурсного отбора научных, научно-технических программ и проектов, предусматривающих проведение опытно-конструкторских и технологических работ, опытно-конструкторских разработок, представленных на конкурс Российского научного фонда, опубликованы на сайте Фонда в сети «Интернет» по адресам www.рнф.рф и www.rscf.ru

Вопросы, связанные с подачей заявок на отбор технологических предложений на конкурс, можно направлять на электронный адрес: konkurs_okr@rscf.ru