Проректор МИЭТ по научной работе С.А. Гаврилов: «Концепция безмасочной рентгеновской нанолитографии на базе источника синхротронного излучения является новой и не имеет мировых аналогов. Освоение данной технологии может обеспечить формирование топологических элементов с размерами вплоть до уровня 10 нм. Ключевым элементом такого литографического процесса является «электронная» маска, обеспечивающая динамическое изменение топологии шаблона по заданному закону. Нашими основными участниками и партнерами в рамках проекта станут Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» и Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской Академии наук (ИПФ РАН)».
Особое внимание будет уделено теме подготовки научных кадров: более 80 человек пройдут обучение по дополнительным профессиональным программам, в частности, новой программе «Синхротронное излучение в исследовании материалов и технологии микроэлектроники». Предполагается приглашение молодых специалистов, работающих на европейских источниках, для совместной научной, образовательной и просветительской деятельности. Также запланированы визиты исполнителей проекта на отечественные и европейские источники синхротронного излучения в целях обмена опытом.
Источник: МИЭТ