Учеными Института физики и прикладной математики МИЭТ была прослежена эволюция формы нанопроволок из GaN, полученных методом плазма-активированной молекулярно-лучевой эпитаксии и представляющих собой массив вертикальных столбиков на кремниевой подложке. Благодаря высокому совершенству кристаллической структуры и большой удельной поверхности нанопроволоки из GaN могут применяться в высокоэффективных светодиодах, датчиках летучих соединений, фоторасщеплении воды, сокращении выбросов CO2 в атмосферу и пр.